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PDTC143EMB分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PDTC143EMB |
| 参数属性 | PDTC143EMB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = 4.7 k廓 |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DFN1006B-3 / 3-XFDFN |
| 文件大小 |
960.81 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-3 23:00:00 |
| 人工找货 | PDTC143EMB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTC143EMB规格书详情
General description
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small SOT883B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PDTA143EMB.
Features and benefits
■ 100 mA output current capability
■ Reduces component count
■ Built-in bias resistors
■ Reduces pick and place costs
■ Simplifies circuit design
■ AEC-Q101 qualified
■ Leadless ultra small SMD plastic
package
■ Low package height of 0.37 mm
Applications
■ Low-current peripheral driver
■ Control of IC inputs
■ Replaces general-purpose transistors
in digital applications
■ Mobile applications
产品属性
- 产品编号：
PDTC143EMB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT8833 |
7350 |
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询价 | ||
PHI |
25+ |
SOT |
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NEXPERIA/安世 |
2450+ |
NA |
9850 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
N/A |
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PH |
25+ |
TQFP |
18000 |
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恩XP |
24+ |
SOT-323 |
10000 |
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询价 | ||
PHI |
25+23+ |
SOT |
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恩XP |
21+ |
SOT-323 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-323 |
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恩XP |
25+ |
25000 |
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