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PDTC124ES	文件：91.15 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=22k-ohm,R2=22k-ohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC124ES	文件：181.23 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=22k廓,R2=22k廓 DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplific	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTC124ES	文件：69.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC124ET	文件：91.15 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=22k-ohm,R2=22k-ohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PDTC124ET	文件：50.74 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC124ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC124ET	文件：243.6 Kbytes Page：13 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=22kΩ,R2=22kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA124ET 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducesco	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC124ET	文件：1.05552 Mbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=22k,R2=22k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC124ET-Q	文件：228.18 Kbytes Page：12 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=22kΩ,R2=22kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA124ET-Q 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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