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PDTC124EMB中文资料NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PDTC124EMB |
| 参数属性 | PDTC124EMB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 17:58:00 |
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PDTC124EMB规格书详情
描述 Description
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PDTA124EMB.
特性 Features
• 100 mA output current capability
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
应用 Application
• Low-current peripheral driver
• Control of IC inputs
• Replaces general-purpose transistors in digital applications
• Mobile applications
技术参数
- 制造商编号
：PDTC124EMB
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.37
- Channel type
：NPN
- Ptot (mW)
：250
- R2 (typ) (kΩ)
：22
- IC [max] (mA)
：100
- R1 (typ) (kΩ)
：22
- VCEO (V)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
23+ |
NA |
3118 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
恩XP |
2016+ |
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3000 |
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恩XP |
23+ |
QFN-76 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-883B |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
QFN-76 |
6000 |
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询价 | ||
恩XP |
21+ |
SOT-883B |
8080 |
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询价 | ||
PHI |
05+ |
原厂原装 |
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恩XP |
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SOT23 |
6200 |
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恩XP |
2021+ |
SOT-883B |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
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Nexperia(安世) |
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