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PDTC124EEF	文件：91.15 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k-ohm, R2 = 22 k-ohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC124EK	文件：91.15 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=22k-ohm,R2=22k-ohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC124EK	文件：66.54 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC124EM	文件：91.15 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=22k-ohm,R2=22k-ohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC124EM	文件：230.8 Kbytes Page：12 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=22kΩ,R2=22kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallSOT883(SC-101)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA124EM 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC124EM	文件：1.05552 Mbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=22k,R2=22k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC124EMB	文件：840.92 Kbytes Page：12 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=22k廓,R2=22k廓 Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA124EMB Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■R	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC124EQA	文件：2.78525 Mbytes Page：21 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC124EQA	文件：2.78427 Mbytes Page：21 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsolderjoint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC124EQA	文件：2.80866 Mbytes Page：21 Pages	50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability built-inbiasresistors simplifiescircuitdesign reducescomponentcount reducedpickandplacecosts lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified suitableforAutomaticOpticalInspection (AOI)ofsolderjoint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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