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PDTC123ET-Q	文件：184.96 Kbytes Page：7 Pages	Marking：26；Package：SOT23；50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(SC-101)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123ET-Q 2.Featuresandbenefits •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandpl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123EU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123EU	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=2.2k-ohm	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123EU	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123EU	文件：421.94 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123EU	文件：183.96 Kbytes Page：7 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123EU 2.Featuresandbenefits •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123J	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123JE	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123JE	文件：50.01 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123JE	文件：1.05544 Mbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k,R2=47k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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