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PDTC114YTVL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：PDTC114YT/SOT23/TO-236AB	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PDTC114YU	文件：53.3 Kbytes Page：8 Pages	NPN resistor-equipped transistor DESCRIPTION NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：53.3 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC114YU	文件：92.62 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors DESCRIPTION NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：92.62 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTC114YU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI

产品属性

产品编号：
PDTC114YTVL
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
PDTC114YT/SOT23/TO-236AB

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更多PDTC114YTVL供应商更新时间2025-12-18 23:01:00

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