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PDTC114YEF	文件：92.62 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors DESCRIPTION NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：92.62 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PDTC114YEF	文件：181.16 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k廓, R2 = 47 k廓 DESCRIPTION NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：181.16 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
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PDTC114YM	文件：92.62 Kbytes Page：14 Pages	NPN resistor-equipped transistors DESCRIPTION NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：92.62 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI

详细参数

型号：
PDTC114YEF
功能描述：
TRANS NPN W/RES 50V SOT-490
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列：
-
标准包装：
10,000
晶体管类型：
NPN - 预偏压电流 -
集电极(Ic)（最大）：
100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
50V 电阻器 -
基极(R1)（欧）：
47k 电阻器 -
发射极(R2)（欧）：
47k 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
300mV @ 500µA，10mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 频率 -
转换：
100MHz 功率 -
最大：
250mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商设备封装：
PG-SOT323-3
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000756242

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