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PDTB114ETVL

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 0.46W

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTB114EU

500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors

General description PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features ■ 500 mA output current capability ■ ± 10 resistor ratio tolerance ■ Built-in bias resistors ■ AEC-Q101 qualified ■ Simplifies circuit d

文件:3.64552 Mbytes 页数:27 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTB114EU

500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors

Features 500 mA output current capability Built-in bias resistors Simplifies circuit design Reduces component count  10 resistor ratio tolerance AEC-Q101 qualified High temperature applications up to 175 °C

文件:3.59374 Mbytes 页数:27 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

PDTB114EU

500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors

Features 500 mA output current capability Built-in bias resistors Simplifies circuit design Reduces component count  10 resistor ratio tolerance AEC-Q101 qualified High temperature applications up to 175 °C

文件:3.64448 Mbytes 页数:27 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    PDTB114ETVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 0.46W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PDTB114ETVL供应商 更新时间2025-10-10 16:10:00