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PDTB113ZS	文件：138.19 Kbytes Page：10 Pages	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 10 k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTB113ZS,126	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
PDTB113ZT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTB113ZT	文件：138.19 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k廓,R2=10k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTB113ZT	文件：206.07 Kbytes Page：8 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=1kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD113ZT. 2.Featuresandbenefits •500mAoutputcurrentcapability •Reducespickandplacecosts •Built-inbiasresistors •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ZU	文件：3.64552 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ZU	文件：3.59374 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB113ZU	文件：3.64448 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Features 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount 10resistorratiotolerance AEC-Q101qualified Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC113EE	文件：235.87 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC113EK	文件：235.87 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PDTB113ZS
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 500 MA RET
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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