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PDTA143ZEF	文件：92.91 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：92.91 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PDTA143ZEF	文件：181.54 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k廓, R2 = 47 k廓 DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：181.54 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PDTA143ZEF	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ DESCRIPTION\nPNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).FEATURES\n• Built-in bias resistors\n• Simplified circuit design\n• Reduction of component count\n• Reduced pick and place costs.APPLICATIONS\n• General purpose switching and amplificatio • Built-in bias resistors\n• Simplified circuit design\n• Reduction of component count\n• Reduced pick and place costs.;	恩XP	恩XP
PDTA143ZK	文件：50.26 Kbytes Page：8 Pages	PNP resistor-equipped transistor DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：50.26 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
PDTA143ZK	文件：92.91 Kbytes Page：14 Pages	PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：92.91 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI

详细参数

型号：
PDTA143ZEF
功能描述：
TRANS PNP W/RES 50V SOT-490
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列：
-
标准包装：
10,000
晶体管类型：
NPN - 预偏压电流 -
集电极(Ic)（最大）：
100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
50V 电阻器 -
基极(R1)（欧）：
47k 电阻器 -
发射极(R2)（欧）：
47k 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
300mV @ 500µA，10mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 频率 -
转换：
100MHz 功率 -
最大：
250mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商设备封装：
PG-SOT323-3
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000756242

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