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PDTA124XS	文件：93.61 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=22kohm,R2=47kohm DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA124XS	文件：205.18 Kbytes Page：13 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=22kW,R2=47kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA124XT	文件：93.61 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=22kohm,R2=47kohm DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA124XT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA124XT	文件：205.18 Kbytes Page：13 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=22kW,R2=47kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA124XT-Q	文件：196.65 Kbytes Page：8 Pages	PNPresistor-equippedtransistor;R1=22kΩ,R2=47kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PDTC124XT-Q 2.Featuresandbenefits •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •100mAoutputcurrentcapability •Reducescomponentc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA124XU	文件：93.61 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=22kohm,R2=47kohm DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA124XU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA124XU	文件：205.18 Kbytes Page：13 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=22kW,R2=47kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC124E	文件：91.15 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=22k-ohm,R2=22k-ohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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