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PDTA115ET	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115EU	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Re	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA115EU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA115EU	文件：189.96 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k廓,R2=100k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA115EU	文件：420.47 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115EU	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115T	文件：110.18 Kbytes Page：17 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=open Generaldescription PNPresistor-equippedtransistors. Features ■Built-inbiasresistors ■Simplifiescircuitdesign ■Reducescomponentcount ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Inverterandinterfacecircuits ■Circuitdrivers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTA115T	文件：224.95 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115T_SER	文件：224.95 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA115TE	文件：110.18 Kbytes Page：17 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=open Generaldescription PNPresistor-equippedtransistors. Features ■Built-inbiasresistors ■Simplifiescircuitdesign ■Reducescomponentcount ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Inverterandinterfacecircuits ■Circuitdrivers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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详细参数

型号：
PDTA115EMB
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B; Transistor
Polarity：
PNP; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
-50V; Transition Frequency Typ
ft：
180MHz; Power Dissipation
Pd：
250mW; DC Collector
Current：
-20mA; DC Current Gain
hFE：
80; Operating ;RoHS
Compliant：
Yes

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