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PDTC114EE	文件：92.9 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kohm,R2=10kohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114EE	文件：717.9 Kbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114EE	文件：1.3323 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=10k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC114EEF	文件：49.66 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114EEF	文件：92.9 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kohm,R2=10kohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114EK	文件：66.41 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114EK	文件：92.9 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kohm,R2=10kohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114EM	文件：92.9 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kohm,R2=10kohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114EM	文件：717.9 Kbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114EM	文件：215.17 Kbytes Page：11 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaultrasmallSOT883(SC-101)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reduc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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