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SFT1341-TL-E	文件：353.02 Kbytes Page：6 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •LowGateDriveVoltage •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SFT1341-TL-W	文件：353.02 Kbytes Page：6 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •LowGateDriveVoltage •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SFT1341-W	文件：353.02 Kbytes Page：6 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET Features •LowOn-Resistance •HighSpeedSwitching •LowGateCharge •LowGateDriveVoltage •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-freeandRoHSCompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SI1341A	文件：102.77 Kbytes Page：3 Pages	Multi-Conductor-DataBus짰ISA/SP-50FOUNDATIONFieldbusorPROFIBUSCable	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
SSF1341	文件：375.93 Kbytes Page：7 Pages	HighPowerandcurrenthandingcapability	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF1341	文件：502.49 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSF1341UP	文件：1.44248 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology FeaturesandBenefits AdvancedMOSFETprocesstechnology SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications Ultralowon-resistancewithlowgatecharge Fastswitchingandreversebodyrecovery 150°Coperatingtemperature Description: tutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
TB1341A	文件：363.78 Kbytes Page：7 Pages	127.5MHz20MHzBWSMD7.0x5.0mmSAWIFFilter	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TMR1341	文件：320.17 Kbytes Page：5 Pages	TMROmnipolarSwitch	AEC Associated Equipment Corporation	AEC
TMR1341G	文件：1.50952 Mbytes Page：13 Pages	MicroAmpereHighFrequencyResponseOmnipolarMagneticSwitchSensor Description TMR134xisanomnipolarmagneticswitchintegratedthetunnelmagnetoresistance(TMR)magneticsensorandopen-draincircuitry,whichisabletodetectthechangeofmagneticfieldandoutputhighandlowvoltagesignalsforhighaccuracypositiondetection. UnlikeHall/AMRsensors,	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多维科技江苏多维科技有限公司	MULTIDIMENSION

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