PDS4200HQ中文资料4A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER数据手册Diodes规格书

| 厂商型号 |
PDS4200HQ |
| 参数属性 | PDS4200HQ 封装/外壳为PowerDI™ 5;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 200V 4A POWERDI 5 |
| 功能描述 | 4A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 封装外壳 | PowerDI™ 5 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-16 23:01:00 |
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PDS4200HQ规格书详情
描述 Description
4A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
特性 Features
• Lower Forward Voltage Drop than Ultrafast Rectifiers
• Very Low Leakage Current
• Soft Recovery Characteristics: Softness Factor (tB/tA) ≥ 1 (See Figure 8)
• Highly Stable Oxide Passivated Junction
• High Forward Surge Current Capability
• Lead-Free Finish & RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)
应用 Application
• SMPS
• DC-DC Converter
• Freewheeling Diodes
• AC-DC
简介
PDS4200HQ属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由Diodes制造生产的PDS4200HQ二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
:PDS4200HQ
- 生产厂家
:Diodes
- PPAP Capable
:Yes
- Configuration
:Single
- Maximum Average Rectified Current IO
:4 A
- @ Terminal Temperature TT
:N/A ºC
- Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM
:200 V
- Peak Forward Surge Current IFSM
:100 A
- Forward Voltage Drop VF (V)
:0.84
- @ IF
:4 A
- Maximum Reverse Current IR
:1 µA
- @ VR
:200 V
- Reverse Recovery Time trr
:25 ns
- Total Capacitance CT
:N/A pF
- Packages
:PowerDI5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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