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PZT3904	文件：47.95 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PZT3906. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •High-speedsaturatedswitching.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZT3904	文件：46.85 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR ■SOT-223PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPEISPZT3906 APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORSMDMOTHERBOARDASSEMBLY ■SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITHHIGHGAINANDLOWSAT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PZT3904	文件：64.43 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral-purposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT3904	文件：124.86 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor ●HighDCcurrentgain0.1mAto100mA ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:PZT3906(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
PZT3904	文件：48.66 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype:PZT3906(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PZT3904	文件：100.83 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PZT3904	文件：555.38 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
PZT3904	文件：188.19 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:1W˄Tamb=25°C Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJˈTstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT3904	文件：257.98 Kbytes Page：1 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoPZT3906 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT3904	文件：1.78424 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoPZT3906 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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