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PDB3012HX4H数据手册Potens中文资料规格书

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厂商型号

PDB3012HX4H

功能描述

MOSFET

制造商

Potens Potens Semiconductor Corp.

中文名称

博盛 博盛半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 19:45:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :PDB3012HX4H

  • 生产厂家

    :Potens

  • Configuration

    :4 IN 1

  • MOSFET Type

    :N+N+N+N

  • V(BR)DSS (V) Min.

    :30

  • VGS (±V) Max.

    :20

  • Vth (V) Max.

    :2.5

  • RDS(ON) (mΩ) Max.@VGS=10V

    :16

  • RDS(ON)(mΩ) Max.@VGS=4.5 or 6V

    :23

  • RDS(ON)(mΩ)Max.@VGS=2.5V

    :-

  • RDS(ON)(mΩ)Max.@VGS=1.8V

    :-

  • Ciss(pF)Typ.

    :370

  • Coss(pF)Typ.

    :70

  • Crss(pF)Typ.

    :50

  • Qg(nC)Typ.@VGS=10V

    :5.2

  • Qg(nC)Typ.@VGS=4.5V

    :-

  • Qgs(nC)Typ.

    :0.6

  • Qgd(nC)Typ.

    :2

  • ID(A)@25℃ Max.

    :25

  • PD(W)@25℃ Max.

    :16.9

  • ESD Diode

    :X

  • Schokkty Diode

    :X

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