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PDB1216E数据手册Potens中文资料规格书

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厂商型号

PDB1216E

功能描述

MOSFET

制造商

Potens Potens Semiconductor Corp.

中文名称

博盛 博盛半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:35:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :PDB1216E

  • 生产厂家

    :Potens

  • Configuration

    :Com. Dual

  • MOSFET Type

    :N+N

  • V(BR)DSS (V) Min.

    :12

  • VGS (±V) Max.

    :8

  • Vth (V) Max.

    :1

  • RDS(ON) (mΩ) Max.@VGS=10V

    :-

  • RDS(ON)(mΩ) Max.@VGS=4.5 or 6V

    :20

  • RDS(ON)(mΩ)Max.@VGS=2.5V

    :27

  • RDS(ON)(mΩ)Max.@VGS=1.8V

    :38

  • Ciss(pF)Typ.

    :370

  • Coss(pF)Typ.

    :60

  • Crss(pF)Typ.

    :48

  • Qg(nC)Typ.@VGS=10V

    :-

  • Qg(nC)Typ.@VGS=4.5V

    :7

  • Qgs(nC)Typ.

    :0.7

  • Qgd(nC)Typ.

    :1.8

  • ID(A)@25℃ Max.

    :6

  • PD(W)@25℃ Max.

    :1.25

  • ESD Diode

    :X

  • Schokkty Diode

    :X

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