PDB1216E数据手册Potens中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
:PDB1216E
- 生产厂家
:Potens
- Configuration
:Com. Dual
- MOSFET Type
:N+N
- V(BR)DSS (V) Min.
:12
- VGS (±V) Max.
:8
- Vth (V) Max.
:1
- RDS(ON) (mΩ) Max.@VGS=10V
:-
- RDS(ON)(mΩ) Max.@VGS=4.5 or 6V
:20
- RDS(ON)(mΩ)Max.@VGS=2.5V
:27
- RDS(ON)(mΩ)Max.@VGS=1.8V
:38
- Ciss(pF)Typ.
:370
- Coss(pF)Typ.
:60
- Crss(pF)Typ.
:48
- Qg(nC)Typ.@VGS=10V
:-
- Qg(nC)Typ.@VGS=4.5V
:7
- Qgs(nC)Typ.
:0.7
- Qgd(nC)Typ.
:1.8
- ID(A)@25℃ Max.
:6
- PD(W)@25℃ Max.
:1.25
- ESD Diode
:X
- Schokkty Diode
:X
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BOURNS伯恩斯 |
25+ |
电位器 |
13250 |
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POTENS/博盛 |
25+ |
DFN2X2-6 |
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POTENS/博盛 |
2511 |
DFN2X2-6 |
360000 |
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Potens(博盛半导体) |
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BOURNS |
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NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2X2-6 |
986966 |
国产 |
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POTENS/博盛 |
20+ |
DFN2020-6 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
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Bourns |
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POTENS博盛半导体 |
23+ |
DFN2*2 |
22820 |
原装正品,支持实单 |
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