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AOGW410-R	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
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AOI410	文件：330.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI410	文件：959.93 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT410L	文件：1.72556 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOT410L	文件：289.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT410L	文件：1.00966 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT410L	文件：324.94 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFETSDMOS? GeneralDescription TheAOT410L/AOB410LisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge&lowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgen	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW410	文件：327.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOW410	文件：259.8 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOW410isfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge&lowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurp	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW410-B	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
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AP410	文件：421.55 Kbytes Page：7 Pages	MMIC	RFHICRFHIC RFHIC	RFHIC
AQV410	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS

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详细参数

型号：
PD410
功能描述：
光电二极管 PIN Photodiode, 3.31 sqmm, 1000 nm, bulk, Visible Light Cut
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Photodiodes
反向电压：
10 V
最大暗电流：
30 nA
峰值波长：
565 nm
上升时间：
3.1 us
下降时间：
3 us
半强度角度：
50 deg
封装/箱体：
TO-5

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更多PD410供应商更新时间2024-5-21 11:10:00

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