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UPA1725G	文件：291.55 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) RDS(on)2=22.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=3.5A) RDS(on)3=30.0mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=3.5A) •LowCiss:Ciss=950pFTYP. •Buil	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1725G	文件：64.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisµPA1725isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandsoon. FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) RDS(on)2=22.0mΩMAX.(VGS=4.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) RDS(on)2=22.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=3.5A) RDS(on)3=30.0mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=3.5A) •LowCiss:Ciss=950pFTYP. •Buil

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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DESCRIPTION ThisµPA1725isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandsoon. FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) RDS(on)2=22.0mΩMAX.(VGS=4.

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更多PCM1725U-T供应商更新时间2025-5-23 16:01:00

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