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UDZSTE-1716B

Constantvoltagecontrol

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

UPA1716

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mΩTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RD

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPA1716

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RDS(on)3=19.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–4A) ·LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiond

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA1716G

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RDS(on)3=19.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–4A) ·LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiond

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多PCM1716E其他被动元件供应商 更新时间2025-5-28 14:19:00