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SFT2014	文件：106.69 Kbytes Page：2 Pages	200AMP100-140VOLTSNPNTRANSISTOR 200AMP100–140VOLTSNPNTRANSISTOR Features: •BV(CBO)=250Voltsminimum •600WPowerDissipation •ExcellentSOACurve •Es/bof800mJ •Gainofover5at200A •HighRelConstructionincludingGoldEutecticDieMounting,AluminumWiring •PlanarChipConstructionwithLowLeakage	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFT2014	文件：280 Kbytes Page：6 Pages	HIGHENERCYNPNTRANSISTOR [SSDI] 2N5094AND2N5096 HIGHVOLTAGEPNPTRANSISTOR450-500VOLTS SFT2010,SFT2012,SFT2014 200AMPHIGHENERGYNPNTRANSISTORVCEO100,120,140VOLTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SG2014	文件：98.49 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2014	文件：194.27 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2014	文件：242.74 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS Description Crossreferenceto5962-86058012A,5962-86058012,86058012 TheSG2800seriesintegrateseightNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.A	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2014	文件：242.74 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SGM2014	文件：569.95 Kbytes Page：11 Pages	LowPower,LowDropout,250mA,RF-LinearRegulators GENERALDESCRIPTION TheSGM2014serieslow-power,low-noise,low-dropout,CMOSlinearvoltageregulatorsoperatefroma2.5Vto5.5Vinputanddeliverupto250mA.Theyaretheperfectchoiceforlowvoltage,lowpowerapplications. FEATURES -LowOutputNoise:30µVRMSTYP(10Hzto100kHz) -Ul	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SGM2014	文件：107.43 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET? Description TheSGM2014MisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.5dB(typ.)at900MHz •	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2014	文件：57.15 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET Description TheSGM2014ANisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Ultrasmallpackage •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2014	文件：51.59 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET Description TheSGM2014AMisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.5dB(typ.)at900MHz •	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony

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详细参数

型号：
PCK2014ADL
功能描述：
时钟发生器及支持产品 CK98(100/133MHZ) SYS CLK GEN
RoHS：
否
制造商：
Silicon Labs
类型：
Clock Generators
最大输入频率：
14.318 MHz
最大输出频率：
166 MHz
输出端数量：
16 占空比 -
最大：
55 %
工作电源电压：
3.3 V
工作电源电流：
1 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-56

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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