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PCFG40T65SQF中文资料650V 40A FS4 IGBT 晶片级数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

PCFG40T65SQF

参数属性

PCFG40T65SQF 封装/外壳为模具;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY

功能描述

650V 40A FS4 IGBT 晶片级
DIODE SCHOTTKY

封装外壳

模具

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 8:33:00

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PCFG40T65SQF规格书详情

描述 Description

Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter and UPS applications where low conduction and switching losses are essential.

特性 Features

• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• Optimized for High Speed Switching

应用 Application

• Solar Inverters
• UPS Systems

简介

PCFG40T65SQF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的PCFG40T65SQF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :PCFG40T65SQF

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • IC Max (A)

    :40A

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.6V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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