Diode - Power, Bare Die Gen VII, Fast Recovery 1200 V, 45 A

Features • Advanced Gen VII Technology • Fast and Soft Recovery • Maximum Junction Temperature 175°C • Low Forward Voltage: VF = 1.78 V (Typ.)  IF = 45 A • Easy to Parallel Operation Typical Applications • Solar • Energy Storage • Industrial Motor Control

文件：107.51 Kbytes 页数：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power Diode Bare Die

1200 V, 45 A,  Gen VII, Fast Recovery Diode • Advanced Gen VII Technology\n• Low Forward Voltage\n• Easy to Parallel Operation\n;

ONSEMI

安森美半导体

OEG
DIP6继电器

OEG

上传：深圳市壹芯创科技有限公司

TI/德州仪器
QFP208

TI/德州仪器

上传：深圳市河锋鑫科技有限公司

TI
BGA

TI

德州仪器

上传：深圳市胜彬电子有限公司