256 x 8-bit CMOS EEPROM with I2C-bus interface

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PHI

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带有I2C总线接口的256 x 8位CMOS EEPROM

PCF8582C-2是一款浮动门控电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，具备2 kbits（256 x 8位）非易失性存储器。通过使用内部冗余存储代码，对单个位元错误有容错功能。相比传统的EEPROM，此功能显著提升了可靠性。由于使用全CMOS技术，所以功耗很低。使用电压倍增器片上生成编程电压。\n通过串行I²C总线接收和发送数据字节。可将最多八个PCF8582C-2器件连接至I²C总线。通过三个地址输入（A0、A1和A2）完成芯片选择。\n内部执行E/W周期的定时，所以无需外部组件。引脚7编程时间控制(PTC)必须连接至VDD或保持开路。也可以使用外部时钟对E/W周期的长度进行定时。 低功率CMOS： 2.0 mA最大工作电流\n最大待机电流为10 uA（6.0 V时），典型为4 uA\n\n组织为256 x 8位的2 kbits非易失性存储器\n单电源，满负载工作低至2.5 V\n片上电压倍增器\n串行输入/输出I²C总线\n写入操作： 字节写入模式\n8字节页面写入模式（每个字节的总写入时间最小化）\n\n读取操作： 连续读取\n随机读取\n\n用于写入的内部定时器（无外部组件）\n内部上电复位\n0 kHz至100 kHz时钟频率\n通过使用冗余存储代码实现高可靠性\n承受：Tamb = 22Cel时为1,000,000个擦除/写入(E/W)周期\n10年非易失性数据;

恩XP

256 to 1024×8-bit CMOS EEPROMs with I2C-bus interface

GENERAL DESCRIPTION\nThe PCF85xxC-2 is a family of floating gate Electrically Erasable Programmable Read Only Memories\n(EEPROMs) with 2, 4 and 8 kbits (256, 512 and 1024×8-bit). By using an internal redundant storage code\nit is fault tolerant to single bit errors. This feature dramatically increas • Low power CMOS:\n– maximum operating current:\n  2.0 mA (PCF8582C-2)\n  2.5 mA (PCF8594C-2)\n  4.0 mA (PCF8598C-2)\n– maximum standby current 10µA (at 6.0 V), typical 4µA\n• Non-volatile storage of:\n– 2 kbits organized as 256×8-bit (PCF8582C-2)\n– 4 kbits organized as 512×8-bit (PCF8594C-2)\n– 8 ;

Renesas

瑞萨

带有I2C总线接口的256 x 8位CMOS EEPROM

PCF8582C-2是一款浮动门控电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，具备2 kbits（256 x 8位）非易失性存储器。通过使用内部冗余存储代码，对单个位元错误有容错功能。相比传统的EEPROM，此功能显著提升了可靠性。由于使用全CMOS技术，所以功耗很低。使用电压倍增器片上生成编程电压。\n通过串行I²C总线接收和发送数据字节。可将最多八个PCF8582C-2器件连接至I²C总线。通过三个地址输入（A0、A1和A2）完成芯片选择。\n内部执行E/W周期的定时，所以无需外部组件。引脚7编程时间控制(PTC)必须连接至VDD或保持开路。也可以使用外部时钟对E/W周期的长度进行定时。 低功率CMOS： 2.0 mA最大工作电流\n最大待机电流为10 uA（6.0 V时），典型为4 uA\n\n组织为256 x 8位的2 kbits非易失性存储器\n单电源，满负载工作低至2.5 V\n片上电压倍增器\n串行输入/输出I²C总线\n写入操作： 字节写入模式\n8字节页面写入模式（每个字节的总写入时间最小化）\n\n读取操作： 连续读取\n随机读取\n\n用于写入的内部定时器（无外部组件）\n内部上电复位\n0 kHz至100 kHz时钟频率\n通过使用冗余存储代码实现高可靠性\n承受：Tamb = 22Cel时为1,000,000个擦除/写入(E/W)周期\n10年非易失性数据;

恩XP