PCDE1065G1中文资料強茂数据手册PDF规格书

厂商型号	PCDE1065G1
功能描述	Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
丝印标识	CDE1065G1
封装外壳	TO-263
文件大小	1.82955 Mbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Pan Jit International Inc.
企业简称	PANJIT【強茂】
中文名称	強茂股份有限公司官网
原厂标识	PANJIT
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-1 20:07:00
人工找货	PCDE1065G1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

 Temperature Independent Switching Behavior

 High Surge Current Capability

 Positive Temperature Coefficient on VF

 Low Conduction Loss

 Zero Reverse Recovery

 High junction temperature 175 oC

 Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

 Green molding compound as per IEC 61249 standard

Application

• PFC, UPS, PV Inverter, EV Charging Station, Welder

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