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S8550	文件：984.47 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplimentarytoS8050 ●Collectorcurrent:IC=0.5A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
S8550	文件：125.98 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURE Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
S8550	文件：731.34 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplimentarytoS8050 ●Collectorcurrent:IC=0.5A	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
S8550	文件：1.65609 Mbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
S8550	文件：323.66 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=-500mA） ●ComplementaryToS8050. ●ExcellentHFELinearity. APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
S8550	文件：103.12 Kbytes Page：2 Pages	4횞8elementAPDarraywithlownoiseandenhancedshort-wavelengthsensitivity S8550isanAPD(avalanchephotodiode)arraydesignedforshortwavelengthdetection,featuringlownoiseandlowterminalcapacitance.S8550alsooffersuniformgainandsmallcross-talkbetweeneachelement. Features ●Highsensitivityandlownoiseinshortwavelengthregion ●Lowterminalc	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S8550	文件：202.45 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplimentarytoS8050 CollectorCurrent:IC=0.5A	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S8550	文件：146.65 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplimentarytoS8050 ●Collectorcurrent:IC=0.5A	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
S8550	文件：75.79 Kbytes Page：2 Pages	LOWVOLTAGEHIGHCURRENTSMALLSIGNALPNPTRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTCS8550isalowvoltagehighcurrentsmallsignalPNPtransistor,designedforClassBpush-pullaudioamplifierandgeneralpurposeapplications. ■FEATURES Collectorcurrentupto700mA Collector-Emittervoltageupto20V ComplementarytoUTCS8050 HalogenFre	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
S8550	文件：398.92 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=-500mA） ●ComplementaryToS8050. ●ExcellentHFELinearity. APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK

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