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AN28F512	文件：1.4206 Mbytes Page：24 Pages	512K(64Kx8)CMOSFLASHMEMORY 512K(64Kx8)CMOSFLASHMEMORY	IntelIntel Corporation 英特尔	Intel
CAT28F512	文件：107.82 Kbytes Page：16 Pages	512K-BitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F512isahighspeed64Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. ItispinandReadt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F512	文件：428.32 Kbytes Page：15 Pages	512K-BitCMOSFlashMemory	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst
CAT28F512	文件：97.22 Kbytes Page：14 Pages	512K-BitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F512isahighspeed64Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. ItispinandReadt	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst
M28F512	文件：523.409 Kbytes Page：20 Pages	512Kbit(64Kbx8BulkErase)FlasxhMemory DESCRIPTION TheM28F512FLASHMemoryisanon-volatilememorywhichmaybeerasedelectricallyatthechiplevelandprogrammedbyte-by-byte.Itisorganisedas64Kbytesof8bits.Itusesacommandregisterarchitecturetoselecttheoperatingmodesandthusprovidesasimplemicroprocessorint	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TMS28F512A	文件：311.1 Kbytes Page：21 Pages	65536BY8-BITFLASHMEMORY	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
PC28F512M
功能描述：
IC FLASH 512MBIT M29EW 64BGA
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
Axcell™
标准包装：
3,000
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
32K(4K x 8)
速度：
100kHz，400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
2.5 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)
其它名称：
CAV24C32WE-GT3OSTR

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