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20100	文件：176.43 Kbytes Page：4 Pages	CapacitiveSensor Features ■M30×1.5threadedbarrel ■Plastic,PA12‐GF30 ■Fineadjustmentviapotentiometer ■DC2-wire,nom.8.2VDC ■Outputacc.toDINEN60947-5-6(NAMUR) ■Cableconnection ■ATEXcategoryII2G,ExZone1 ■ATEXcategoryII1D,ExZone20 ■SIL2(LowDemandMode)acc.toIEC 61508,PL	TURCKTurck Inc. 图尔克德国图尔克集团公司	TURCK
20100	文件：728.81 Kbytes Page：14 Pages	PRODUCTSPECIFICATION Cable/Wirestripperss	JOKARI JOKARI GmbH & Co. KG	JOKARI
AL20100	文件：240.25 Kbytes Page：4 Pages	INDUSTRIALMICROWAVEGENERATORS2450MHZ	MKS MKS Instruments.	MKS
PBYR20100CT	文件：46.57 Kbytes Page：6 Pages	RectifierdiodesSchottkybarrier GENERALDESCRIPTION Dual,commoncathodeschottkyrectifierdiodesinaconventionalleadedplasticpackageandasurfacemounting plasticpackage.Intendedforuseasoutputrectifiersinlowvoltage,highfrequencyswitchedmodepowersupplies. ThePBYR20100CTseriesissuppliedintheSOT78	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBYR20100CTB	文件：46.57 Kbytes Page：6 Pages	RectifierdiodesSchottkybarrier GENERALDESCRIPTION Dual,commoncathodeschottkyrectifierdiodesinaconventionalleadedplasticpackageandasurfacemounting plasticpackage.Intendedforuseasoutputrectifiersinlowvoltage,highfrequencyswitchedmodepowersupplies. ThePBYR20100CTseriesissuppliedintheSOT78	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PH20100S	文件：83.13 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Features ■Lowthermalresistance ■SO8equivalentareafootprint ■Lowgatedrivecurrent ■Lowon-stateresistance. Applications ■DC-to-DCconverters	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

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