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PBSS8110T-Q	文件：281.57 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Qualifiedacc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110X	文件：148.26 Kbytes Page：15 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89(SC-62/TO-243)SMDplasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110X. Features ■SOT89package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Higheffic	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110X	文件：214.44 Kbytes Page：15 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89(SC-62/TO-243)SMDplasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110X. Features ■SOT89package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Higheffic	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS8110X	文件：327.72 Kbytes Page：16 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features SOT89package Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability:ICandICM Highefficiencyleadingtolessheatgeneration	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110Y	文件：185.65 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT363(SC-88)plasticpackage. Features ■SOT363package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiencyreducesheatgeneration. Applications ■Majorapplicationsegments	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS8110Y	文件：117.35 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT363(SC-88)plasticpackage. Features ■SOT363package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiencyreducesheatgeneration. Applications ■Majorapplicationsegments	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110Y	文件：299.37 Kbytes Page：14 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features SOT363package Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiencyreducesheatgeneration	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110Z	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110Z	文件：104.36 Kbytes Page：12 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaplasticSOT223(SC-73)package. Features ■SOT223package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,leadingtolessheatgeneration. Applications ■Majorapplication	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110Z	文件：154.73 Kbytes Page：14 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcollectorcurrentgain(hF	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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产品属性

产品编号：
PBSS8110AS,126
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 250mA，10V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 100V 1A TO92-3

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