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SMB5360B	文件：1.69588 Mbytes Page：5 Pages	SMBKPlastic-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
SMB5360B	文件：458.9 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTZENERTYPE SURFACEMOUNTZENERDIODES5.0WATTS FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipat ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰实业有限公司	PACELEADER
SMB5360B	文件：246.54 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
SMB5360B	文件：519.409 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.3to200Volts	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
SMB5360B	文件：244.73 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating ●RoHScompliant	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
SMBF5360B	文件：602.25 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SMBF5360B	文件：611.111 Kbytes Page：2 Pages	5W25VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SMBG5360B	文件：242.33 Kbytes Page：3 Pages	5WattSurfaceMountSiliconZenerDiodes 5WattSurfaceMountSiliconZenerDiodes Features ·Lowprofilepackageforsurfacemounting(flathandlingsurfaceforaccurateplacement) ·ZenerVoltage3.3Vto200V ·HighSurgeCurrentCapability ·Foravailabletolerances–seenote1 ·AvailableonTapeandReel(s	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SMBG5360B	文件：1.2353 Mbytes Page：4 Pages	5WattSurfaceMountSiliconZenerDiodes Features •Lowprofilepackageforsurfacemounting(flathandlingsurfaceforaccurateplacement) •ZenerVoltage3.3Vto200V •HighSurgeCurrentCapability •Foravailabletolerances-seenote1 •AvailableonTapeandReel(seeEIAstdRS-481)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SMBJ5360A	文件：40.54 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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产品属性

产品编号：
PBSS5360PAS-QX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 50mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN2020D-3
描述：
TRANS PNP 60V 3A DFN2020D-3

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