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PBSS5250PAS	文件：282.53 Kbytes Page：14 Pages	50V,2APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5250PAS-Q	文件：283.74 Kbytes Page：14 Pages	50V,2APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5250T	文件：49.74 Kbytes Page：7 Pages	50V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5250T	文件：329.89 Kbytes Page：8 Pages	50V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements •CosteffectivealternativetoMOSFETsinspecificapplications. APPLICATIONS •Powermana	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5250TH	文件：248.7 Kbytes Page：14 Pages	50V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollector	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5250TH-Q	文件：264.6 Kbytes Page：13 Pages	50V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athigh	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5250X	文件：47.07 Kbytes Page：8 Pages	50V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4250X. FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprin	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5250X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5250X	文件：83.32 Kbytes Page：9 Pages	50V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES ·SOT89(SC-62)package ·Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ·Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ·Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ·Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS ·Powermanagement –DC/DCconverters –Suppl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDCS5250V	文件：95.03 Kbytes Page：1 Pages	DC/DCPOWERMODULES2AMPADJUSTABLE	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI

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