首页 >PBSS5240V T/R>规格书列表
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DIPClipsfor8-14-16-20-24-40PinClipsAnd8Through40PinDIPRemovers | 3M 3M Electronics |  | ||
BATTERYCONTACTSFORMOLDEDCASES | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 |  | ||
InstrumentKnobs | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | | ||
40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage.NPNcomplement:PBSS4240X. Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapa | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 |  | ||
40VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT363(SC-88)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240Y. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackag | PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | PHI |
详细参数
- 型号：
PBSS5240V T/R
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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1809+ |
SOT-666 |
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恩XP |
23+ |
SOT89 |
50000 |
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