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PBSS5240T-Q	文件：207.75 Kbytes Page：9 Pages	40V,2APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4240T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreduced	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240V	文件：82.76 Kbytes Page：12 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPtransistorprovidinglowVCEsatandhighcurrentcapabilityinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240V. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240V	文件：219.9 Kbytes Page：10 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor 1.Generaldescription PNPtransistorprovidinglowVCEsatandhighcurrentcapabilityinaSOT666ultrasmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240V 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240X	文件：687.07 Kbytes Page：12 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage.NPNcomplement:PBSS4240X. Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapa	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240Y	文件：49.19 Kbytes Page：8 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT363(SC-88)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240Y. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackag	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240Y	文件：324.34 Kbytes Page：8 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackagedtransistorsduetoenhancedperformance. APPLICATIONS •Supplylineswitchingcircuits •Batterymanagement	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240Z	文件：717.69 Kbytes Page：14 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240Z Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabilit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PJBZ5240Q	文件：80.94 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERSINQFN1.2x1.5mm짼	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PMBZ5240B	文件：66.19 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. Theseriesconsistsof32typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.3to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.250mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.3to75V •Non-repetiti	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMLL5240B	文件：37.87 Kbytes Page：7 Pages	Voltageregulatordiodes Low-powervoltageregulatordiodesinsmallhermeticallysealedglassSOD80CSMDpackages.Theseriesconsistsof43typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.0to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.500mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.0to75V	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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