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TMS5220	文件：846.76 Kbytes Page：30 Pages	High-qualityvoicecommunicationfromamicrocomputersystem KEYFEATURES High-qualityvoicecommunicationfromamicrocomputersystem Low-data-rateLPCencoding Low-costP-channelMOStechnology +5Vand—5Vsuppliesonly Interrupt-basedservicerequests TTLcompatible	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UZ5220	文件：116.64 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Fused-in-glass,metallurgically-bonded5wattzeners. FEATURES •2TimesGreaterSurgeRatingthanConventional10WattZeners •SmallPhysicalSize	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UZ5220	文件：109.92 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Fused-in-glass,metallurgically-bonded5wattzeners. FEATURES •2TimesGreaterSurgeRatingthanConventional10WattZeners •SmallPhysicalSize	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UZ5220	文件：452.07 Kbytes Page：1 Pages	ElectricalSpecificationsat25oC ZenerDiodes ElectricalSpecificationsat25°C	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
V5220L	文件：100.21 Kbytes Page：1 Pages	ASS1523HS	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN
V5220W	文件：96.05 Kbytes Page：1 Pages	ASS0498HS	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN
V5220X	文件：96.05 Kbytes Page：1 Pages	ASS0498HS	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN
VBTA5220N	文件：824.31 Kbytes Page：8 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VDA5220CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA5220NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

产品属性

产品编号：
PBSS5220T-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
225mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
225 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS PNP 20V 2A TO236AB

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