PBSS4320T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS4320T |
| 参数属性 | PBSS4320T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 20V 2A TO236AB |
| 功能描述 | 20 V NPN low VCEsat transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
580.45 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-12 20:04:00 |
| 人工找货 | PBSS4320T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4320T规格书详情
FEATURES
•Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
•High collector current capability
•High collector current gain
•Improved efficiency due to reduced heat generation.
APPLICATIONS
•Power management applications
•Low and medium power DC/DC convertors
•Supply line switching
•Battery chargers
•Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO).
DESCRIPTION
NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package. PNP complement: PBSS5320T.
产品属性
- 产品编号：
PBSS4320TVL
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
310mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS NPN 20V 2A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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