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PBRN123Y_SER	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN123YK	文件：162.21 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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PBRN123YT	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN123YT	文件：271.83 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN123YT-Q	文件：273.29 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP123ET	文件：112.65 Kbytes Page：12 Pages	PNP800mA,40VBISSRET;R1=2.2kW,R2=2.2kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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