PBRN123EK,115_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-单预偏置-恩智浦

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厂家型号：
PBRN123EK,115
制造商：
NXP/恩智浦
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-单预偏置
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-25 10:08:00

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原厂料号：PBRN123EK,115品牌：NXP USA Inc.

资料说明：TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

PBRN123EK,115是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置。制造商NXP/恩智浦生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的PBRN123EK,115晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

芯片型号：
pbrn123ek,115
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
NXP【恩智浦】详情
厂商全称：
NXP Semiconductors
中文名称：
恩智浦半导体公司
资料说明：
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

产品属性

类型
描述
产品编号：
PBRN123EK,115
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
280 @ 300mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.15V @ 8mA，800mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SMT3; MPAK
描述：
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

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PBRN123EK,115

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