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K3767

SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=3.3Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=1.6S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多PBL3767A供应商 更新时间2025-5-20 17:00:00