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PBPC303	文件：51.17 Kbytes Page：2 Pages	3.0ABRIDGERECTIFIER Features •HighCurrentCapability •SurgeOverloadRatingto50APeak •HighCaseDielectricStrengthof1500V •IdealforPrintedCircuitBoardApplication •ULListedUnderRecognizedComponentIndex,FileNumberE94661	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PBSS303ND	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS303ND	文件：279.48 Kbytes Page：17 Pages	60V,3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS303ND-Q	文件：320.65 Kbytes Page：14 Pages	60V,3ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS303PD-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS303NX	文件：132.84 Kbytes Page：15 Pages	30V,5.1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89(SC-62/TO-243)smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS303PX. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapabili	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS303NX	文件：310.73 Kbytes Page：16 Pages	30V,5.1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS303NZ	文件：172.57 Kbytes Page：14 Pages	30V,5.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS303NZ	文件：286.04 Kbytes Page：15 Pages	30V,5.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS303NZ-Q	文件：273.49 Kbytes Page：14 Pages	30V,5.5ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS303PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS303PD	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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