PBHV8110DA_R1_00001_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-強茂

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厂家型号：
PBHV8110DA_R1_00001
制造商：
PANJIT/強茂
库存数量：
2980
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-7-2 14:27:00

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原厂料号：PBHV8110DA_R1_00001品牌：Panjit International Inc.

资料说明：TRANS NPN 100V 1A SOT23

PBHV8110DA_R1_00001是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商PANJIT/強茂生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的PBHV8110DA_R1_00001晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
pbhv8110da_r1_00001
规格书：
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企业简称：
PANJIT【強茂】详情
厂商全称：
Pan Jit International Inc.
中文名称：
強茂股份有限公司
资料说明：
TRANS NPN 100V 1A SOT23

产品属性

类型
描述
产品编号：
PBHV8110DA_R1_00001
制造商：
Panjit International Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 100V 1A SOT23

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PBHV8110DA_R1_00001_分立半导体产品 晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-強茂

PBHV8110DA_R1_00001

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