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PBPC302	文件：51.17 Kbytes Page：2 Pages	3.0ABRIDGERECTIFIER Features •HighCurrentCapability •SurgeOverloadRatingto50APeak •HighCaseDielectricStrengthof1500V •IdealforPrintedCircuitBoardApplication •ULListedUnderRecognizedComponentIndex,FileNumberE94661	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PBSS302ND	文件：143.6 Kbytes Page：14 Pages	40V,4ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS302PD. Features ■Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■4AcontinuouscollectorcurrentcapabilityI	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS302ND	文件：258.17 Kbytes Page：15 Pages	40V,4ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.1Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74) smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS302PD. 1.2Features Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat 4Acontinuouscollectorcurrentc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302NX	文件：197.43 Kbytes Page：15 Pages	20V,5.3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS302NX	文件：310.75 Kbytes Page：16 Pages	20V,5.3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302NZ	文件：102.57 Kbytes Page：14 Pages	20V,5.8ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS302PZ. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hig	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS302NZ	文件：271.98 Kbytes Page：13 Pages	20V,5.8ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS302PZ 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcur	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302NZ-Q	文件：271.57 Kbytes Page：13 Pages	20V,5.8ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PD	文件：134.92 Kbytes Page：14 Pages	40VPNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)singlebipolarPNPtransistorinaSOT457(SC-74)SMDplasticpackage. NPNcomplement:PBSS302ND Features ■Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■4AcontinuouscollectorcurrentcapabilityIC(DC) ■Up	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS302PD	文件：149.95 Kbytes Page：14 Pages	40V,4APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS302ND. Features ■Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■4AcontinuouscollectorcurrentcapabilityI	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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