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FCH125N60E	文件：793.1 Kbytes Page：9 Pages	Telecom/SeverPowerSupplies	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH125N60E	文件：372.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=29A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=125mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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