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ACT8896	文件：88.35 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedPMUforSamsungS3C6410 GENERALDESCRIPTION TheACT8896isacomplete,costeffective,highly-efficientActivePMUTMpowermanagementsolution,optimizedfortheuniquepower,voltage-sequencing,andcontrolrequirementsoftheSamsungS3C6410processor. FEATURES •OptimizedforSamsungS3C6410Processor •Three	ACTIVE-SEMIActive-Semi, Inc 技领半导体技领半导体（上海）有限公司	ACTIVE-SEMI
FDB8896	文件：331.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=93A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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FDD8896	文件：977.91 Kbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

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