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8770	文件：263.15 Kbytes Page：2 Pages	Electronic,3C#18StrTC,PEIns,OS,PVCJkt,CM	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
8770ELW	文件：169.28 Kbytes Page：3 Pages	Electronic,3C#18StrTC,POins,OS,LSNHJkt300V,Cca ProductDescription Electronic,3ConductorAWG18TinnedCopper-Stranded,Polyolefin(PO,PE,PP)insulation,Foil(s)orCopperTape(s)shielding,LSZH/FRNCjacket 300V,Cca	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
8770MN	文件：175.6 Kbytes Page：2 Pages	SpaceMaker™,3C#18StrTC,POIns,OS,PVCJkt,AWM2937 ProductDescription SpaceMaker™,3Conductor18AWG(41x34)TinnedCopper,POInsulation,OverallBeldfoil®Shield,PVCOuterJacket,AWM2937	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
8770NH	文件：167.63 Kbytes Page：2 Pages	Electronic,3C#18StrTC,POins,OS,LSNHJkt300V ProductDescription Electronic,3ConductorAWG18TinnedCopper-Stranded,Polyolefin(PO,PE,PP)insulation,Foil(s)orCopperTape(s)shielding,LSZH/FRNCjacket 300V	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
8770ZH	文件：156.46 Kbytes Page：2 Pages	Electronic,3C#18StrTC,POIns,OS,LSZHJkt,CMG ProductDescription Electronic,3Conductor18AWG(16x30)TinnedCopper,POInsulation,OverallBeldfoil®Shield,LSZHOuterJacket,CMG	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
ACT8770	文件：111.71 Kbytes Page：2 Pages	SixChannelIntegratedPowerManagementICforHandheldPortableEquipment GENERALDESCRIPTION Thepatent-pendingACT8770isacomplete,cost-effective,highlyefficientActivePMUTMintegratedpowermanagementsolutionthatisidealforawiderangeofportablehandheldequipment.ThisdeviceintegratestwoPWMstep-downDC/DCconverters,threelowdropoutlinearregula	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
BU8770FV	文件：169.75 Kbytes Page：2 Pages	Intelligentthree-colorLEDdriver	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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DRV8770PW	文件：3.00103 Mbytes Page：27 Pages	DRV8770:100-VBrushedDCGateDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
DRV8770RGE	文件：3.00103 Mbytes Page：27 Pages	DRV8770:100-VBrushedDCGateDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
DRV8770RGER	文件：3.00103 Mbytes Page：27 Pages	DRV8770:100-VBrushedDCGateDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
FDD8770	文件：352.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8770	文件：314.74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET25V,35A,4.0mOHM	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8770	文件：314.74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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NCV8770	文件：210.9 Kbytes Page：13 Pages	UltraLowIq350mALDORegulatorwithReset	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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更多PAM8770PJR供应商更新时间2024-6-21 17:23:00

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