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QM2421K	文件：464.91 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM2421K	文件：239.51 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
RF2421	文件：40.3 Kbytes Page：4 Pages	10dBSWITCHEDATTENUATOR ProductDescription TheRF2421isamonolithicswitchedattenuator.ThedeviceisbuiltusingaGalliumArsenideprocesstechnologyandhasasinglestepattenuationof10dB.TheinputandoutputofthedevicehasalowVSWR50Ωmatch.TheRFoutputcandriveupto+16dBm.Thisunitisintendedf	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2421PCBA	文件：40.3 Kbytes Page：4 Pages	10dBSWITCHEDATTENUATOR ProductDescription TheRF2421isamonolithicswitchedattenuator.ThedeviceisbuiltusingaGalliumArsenideprocesstechnologyandhasasinglestepattenuationof10dB.TheinputandoutputofthedevicehasalowVSWR50Ωmatch.TheRFoutputcandriveupto+16dBm.Thisunitisintendedf	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RN2421	文件：332.76 Kbytes Page：8 Pages	PNPEPITAXIALTYPE(SWITCHING,INVERTERCIRCUIT,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATIONS) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications •Highcurrenttype(IC(MAX)=−800mA) •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess •LowVCE(sat) •ComplementarytoRN1421~RN1427	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SA2421	文件：101.26 Kbytes Page：12 Pages	2.45GHzlowvoltageRFtransceiver DESCRIPTION TheSA2421transceiverisacombinedlow–noiseamplifier,receivemixer,transmitmixerandLObufferICdesignedusinga20GHzfTBiCMOSprocess,QUBiC2,forhigh–performancelow–powercommunicationsystemsfor2.4–2.5GHzapplications.TheLNAhasa3.2dBnoisefigureat2.45GHz	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SA2421DH	文件：101.26 Kbytes Page：12 Pages	2.45GHzlowvoltageRFtransceiver DESCRIPTION TheSA2421transceiverisacombinedlow–noiseamplifier,receivemixer,transmitmixerandLObufferICdesignedusinga20GHzfTBiCMOSprocess,QUBiC2,forhigh–performancelow–powercommunicationsystemsfor2.4–2.5GHzapplications.TheLNAhasa3.2dBnoisefigureat2.45GHz	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SM2421PSAN	文件：484.8 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SM2421PSAN	文件：170.45 Kbytes Page：12 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM2421PSANC-TRG	文件：170.45 Kbytes Page：12 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER

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