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ATF22V10C-10XI	文件：273.09 Kbytes Page：18 Pages	HighperformanceEEPLD Description TheATF22V10Cisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)thatutilizesAtmel’sprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto5nsandpowerdissipationaslowas100µAareoffered.Allspeedrangesarespecifiedoverth	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10C-10XI	文件：234.26 Kbytes Page：8 Pages	HighPerformanceE2PLD Description TheATF22V10CisahighperformanceCMOS(ElectricallyErasable)ProgrammableLogicDevice(PLD)whichutilizesAtmel’sprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto5nsandpowerdissipationaslowas100µAareoffered.Allspeedrangesarespecifiedovert	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10C-10XI	文件：408.7 Kbytes Page：22 Pages	HighperformanceEEPLD	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10C-10XU	文件：1.91729 Mbytes Page：22 Pages	High-performanceElectricallyErasableProgrammableLogicDevice	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
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ATF22V10C-10XU	文件：457.75 Kbytes Page：23 Pages	HighperformanceEEPLD	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
GAL22V10C-10LJ	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL22V10C-10LJI	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL22V10C-10LP	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL22V10C-10LPI	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice

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