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PALC22V10D	文件：328.2 Kbytes Page：12 Pages	FlashErasable,ReprogrammableCMOSPAL짰Device	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALC22V10D	文件：350.2 Kbytes Page：13 Pages	Flash-erasableReprogrammableCMOSPALDevice FunctionalDescription TheCypressPALCE22V10isaCMOSFlash-erasablesecond-generationprogrammablearraylogicdevice.Itisimplementedwiththefamiliarsum-of-products(AND-OR)logicstructureandtheprogrammablemacrocell. Features •Lowpower —90mAmax.commercial(10ns) —1	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALC22V10D	文件：684.57 Kbytes Page：11 Pages	FLASGERASABLEREPROGRAMMABLECMOSPALDEVICE FunctionalDescription TheCypressPALC22V10DisaCMOSFlashErasablesecond-generationprogrammablearraylogicdevice.Itisimplementedwiththefamiliarsum-of-products(AND-OR)logicstructureandtheprogrammablemacrocell. Features •Advancedsecond-generationPALarchitecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALCE22V10	文件：387.03 Kbytes Page：13 Pages	FlashErasable,ReprogrammableCMOSPAL짰Device	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALCE22V10	文件：350.2 Kbytes Page：13 Pages	Flash-erasableReprogrammableCMOSPALDevice FunctionalDescription TheCypressPALCE22V10isaCMOSFlash-erasablesecond-generationprogrammablearraylogicdevice.Itisimplementedwiththefamiliarsum-of-products(AND-OR)logicstructureandtheprogrammablemacrocell. Features •Lowpower —90mAmax.commercial(10ns) —1	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALCE22V10	文件：691.86 Kbytes Page：34 Pages	24-PinEECMOS(ZeroPower)VersatilePALDevice GENERALDESCRIPTION ThePALCE22V10providesuser-programmablelogicforreplacingconventionalSSI/MSIgatesand flip-flopsatareducedchipcount. ThePALCE22V10ZisanadvancedPAL®devicebuiltwithzero-power,high-speed,electrically erasableCMOStechnology.Itprovidesuser-pro	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
PALCE22V10H	文件：691.86 Kbytes Page：34 Pages	24-PinEECMOS(ZeroPower)VersatilePALDevice GENERALDESCRIPTION ThePALCE22V10providesuser-programmablelogicforreplacingconventionalSSI/MSIgatesand flip-flopsatareducedchipcount. ThePALCE22V10ZisanadvancedPAL®devicebuiltwithzero-power,high-speed,electrically erasableCMOStechnology.Itprovidesuser-pro	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
PALLV22V10	文件：378.8 Kbytes Page：19 Pages	Low-VoltageZeroPower24-PinEECMOSVersatilePALDevice GENERALDESCRIPTION ThePALLV22V10isanadvancedPAL®devicebuiltwithlow-voltage,high-speed,electricallyerasableCMOStechnology. ThePALLV22V10Zprovideslowvoltageandzerostandbypower.At30µAmaximumstandbycurrent,thePALLV22V10Zallowsbatterypoweredoperationforanextended	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
TIBPAL22V10AC	文件：473.71 Kbytes Page：20 Pages	HIGH-PERFORMANCEIMPACT	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TIBPAL22V10AC	文件：158.63 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-PERFORMANCEIMPACTEPROGRAMMABLEARRAYLOGICCIRCUITS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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