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CEZC16R10LA	文件：975.73 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,29A,RDS(ON)=16mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=24mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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更多PAL16R10NC供应商更新时间2024-5-30 16:41:00

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