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PGA112AIDGST	文件：1.54429 Mbytes Page：47 Pages	Zero-Drift,PROGRAMMABLEGAINAMPLIFIERwithMUX	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PGA112AIDGST	文件：1.02547 Mbytes Page：40 Pages	Single-Supply,Single-Ended,PrecisionProgrammableGainAmplifierwithMUX	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PGA112AIDGST	文件：1.58864 Mbytes Page：47 Pages	Zer첩-DriftPROGRAMMABLEGAINAMPLIFIERwithMUX	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PLCSP112	文件：189.7 Kbytes Page：2 Pages	PlanarLightwaveCircuitSplitters	OPLINK OPLINK Communications Inc.	OPLINK
PLCSS112	文件：189.7 Kbytes Page：2 Pages	PlanarLightwaveCircuitSplitters	OPLINK OPLINK Communications Inc.	OPLINK
PMBFJ112	文件：36.52 Kbytes Page：6 Pages	N-channeljunctionFETs DESCRIPTION SymmetricalN-channeljunctionFETsinasurfacemountSOT23envelope.Intendedforuseinapplicationssuchasanalogswitches,choppers,commutators,multiplexersandthinandthickfilmhybrids. FEATURES •High-speedswitching •Interchangeabilityofdrainandsourceconnections	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMBFJ112	文件：87.77 Kbytes Page：9 Pages	N-channeljunctionFETsRev.4??20September2011 Generaldescription SymmetricalN-channeljunctionFETsinaSOT23package. Featuresandbenefits ■High-speedswitching ■Interchangeabilityofdrainandsourceconnections ■LowRDSonatzerogatevoltage( Applications ■Analogswitches ■Choppers ■Commutators ■Multiplexers ■Thin	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PMBFJ112	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PM-OM112	文件：159.88 Kbytes Page：5 Pages	COMMONMODELINECHOKES	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PM-T112	文件：137.83 Kbytes Page：5 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRIDUAL&SINGLECORETHRU-HOLETRANSORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI

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